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存储器单元包括与字线接触的铁电(FE)材料;以及与源极线和位线接触的氧化物半导体(OS)层,其中FE材料设置在OS层和字线之间。OS层包括:与FE材料相邻的第一区域,第一区域具有第一浓度的半导体元素;与源极线相邻的第二区域,第二区域具有第二浓度的半导体元素;以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域,第三区域具有第三浓度的半导体元素,第三浓度大于第二浓度并且小于第一浓度。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380822 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110409893.5 H01L 27/11597 (2017.01)
(22)申请日
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