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2023-06-21 发布于四川
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一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统.pdf

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本发明属于数字器件辐照效应模型的建模技术领域，公开了一种CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法及系统，所述CMOS数字集成电路总剂量效应建模方法包括：选择或设计原始器件；获得原始器件的IBIS模型数据；提取输入端口的钳位管特性曲线和输出端口的晶体管特性曲线；根据钳位管特性曲线提取二极管模型参数，根据晶体管特性曲线提取MOS管模型参数；根据模型参数建立CMOS数字IC行为‑物理混合模型，并建立CMOS数字IC时序退化模型；根据总剂量效应造成的器件电特性退化，建立CMOS数字IC输出端口总剂量效应模

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113341761 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110554445.4 (22)申请日 2021.05.20 (71)申请人西安电子科技大学地址

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