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本发明公开了一种利用反馈回路提高电源抑制比的带隙基准电路，属于模拟集成电路技术领域。该带隙基准电路包括：两个NPN双极型晶体管Q1～Q2，六个电阻R0～R5和一个运算放大器。运算放大器采用差分输入结构，将运算放大器的输出用电阻进行分压，提供反馈电压至NPN双极型晶体管Q1和Q2的基极，同时该反馈电压作为该带隙基准电路的输出基准电压。电阻R0和电阻R1的阻值相等，通过调节NPN双极型晶体管Q2的并联数和电阻R3与R2的比值，可以改善基准电压的温度系数和精确度；通过增加运算放大器的增益，可以有效地提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113342117 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110563674.2
(22)申请日 2021.05.24
(71)申请人 东南大学
地址 21
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