- 1、本文档共10页,其中可免费阅读9页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC‑SiC复相涂层的制备方法,采用三步法,首先利用包埋法制备SiC内涂层,而后利用气相渗硅技术于SiC内涂层表面引入游离硅,最后在带有SiC‑SiC内涂层C/C试样表面化学气相沉积HfC,通过游离硅在气相沉积过程中的原位反应和扩散增强内外涂层间的界面结合强度。本发明可以制备出厚度均匀,结构致密,成分可控,结合力强的SiC/HfC‑SiC涂层。在传统方法的机械结合界面的基础上引入界面扩散层扩散,构成扩散结合。涂层工艺简单,反应周期短,成本低,具有广阔
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113336576 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110329517.5
(22)申请日 2021.03.28
(71)申请人 西北工业大学
地址
文档评论(0)