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本发明涉及一种SiC纳米线增韧化学气相共沉积HfC‑SiC复相涂层的制备方法，采用三步法，首先利用包埋法制备SiC内涂层，而后利用气相渗硅技术于SiC内涂层表面引入游离硅，最后在带有SiC‑SiC内涂层C/C试样表面化学气相沉积HfC，通过游离硅在气相沉积过程中的原位反应和扩散增强内外涂层间的界面结合强度。本发明可以制备出厚度均匀，结构致密，成分可控，结合力强的SiC/HfC‑SiC涂层。在传统方法的机械结合界面的基础上引入界面扩散层扩散，构成扩散结合。涂层工艺简单，反应周期短，成本低，具有广阔
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113336576 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110329517.5
(22)申请日 2021.03.28
(71)申请人 西北工业大学
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