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半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备.pdfVIP

半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备.pdf

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    公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上实质上沿竖直方向延伸的有源区；绕有源区在竖直方向上的中间段的至少部分外周形成的栅堆叠，其中有源区包括与栅堆叠相对的沟道区以及分别在沟道区在竖直方向上的相对两侧的第一源/漏区和第二源/漏区，其中，栅堆叠包括栅介质层、功函数调节层以及栅电极材料层，功函数调节层介于栅电极材料层与沟道区之间；以及第一低k介质层，从功函数调节层的第一端延伸以围绕栅电极材料层靠近沟道区一侧的端部的第一拐角。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380893 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110634337.8 (22)申请日 2021.06.07 (71)申请人 中国科学院微电子研究所

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