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本公开提供了红外发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。多量子阱层设置为包括多个周期交替生长的InGaAs阱层和AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的结构，AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层的晶格常数与InGaAs阱层的晶格常数更接近，AlxGa(1‑x)PyAs(1‑y)垒层中P原子半径较小，部分P原子可以填补部分空位缺陷，红外发光二极管芯片的发光效率可以得到有效提高。垒层中Al的组分较低，P的组分较高，可以有效抑制空位缺陷且适当降低AlxGa(1‑x)PyAs(1‑
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113345987 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202110412078.4 H01L 33/30 (2010.01)
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