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本公开提供了一种瞬态电子器件的制备方法，包括：在衬底上制备范德瓦尔斯薄膜；其中，所述范德瓦尔斯薄膜为二维材料；将所述范德瓦尔斯薄膜进行光脉冲烧结处理，得到分层后的范德瓦尔斯薄膜样品；在分层后的范德瓦尔斯薄膜样品表面滴涂水溶性聚合物的溶液，低温固化，形成水溶性聚合物薄膜；将与所述水溶性聚合物薄膜紧密贴合的所述分层后的范德瓦尔斯薄膜样品自所述衬底揭下，制得所述瞬态电子器件。本公开实现了瞬态电子器件的大面积加工，能够通过改变光脉冲的参数调节范德瓦尔斯薄膜的厚度和性能，所采用的工艺流程对环境友好，并与印
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113380949 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110635671.5 (56)对比文件
(22)申请日 2021.06.07
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