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本公开涉及一种非制冷CMOS红外探测器,红外探测器中CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构均使用CMOS工艺制备,在CMOS测量电路系统上方直接制备CMOS红外传感结构;CMOS红外传感结构的CMOS制作工艺包括金属互连工艺、通孔工艺、IMD工艺以及RDL工艺,红外探测器中的牺牲层用于使CMOS红外传感结构形成镂空结构,构成有效像元和/或镜像像元中的牺牲层的材料包括硅、锗或锗硅中的至少一种,采用刻蚀气体并采用post‑CMOS工艺腐蚀牺牲层,刻蚀气体包括氟化氙、氯气、溴气、四氯化碳和氟氯代烃
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113340436 B
(45)授权公告日 2023.04.14
(21)申请号 202110783306.9 审查员 王艺潼
(22)申请日 2021.07.12
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