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方法包括提供一种结构，该结构具有：从衬底延伸的两个鳍；隔离鳍的底部的隔离结构；位于每个鳍上方的源极/漏极(S/D)部件；平行于鳍纵向定向并且设置在两个鳍之间与隔离结构上方的介电鳍；位于隔离结构、鳍和介电鳍上方的伪栅极堆叠件；以及位于伪栅极堆叠件的侧壁上方的一个或多个介电层。该方法还包括：去除伪栅极堆叠件，以在一个或多个介电层内产生栅极沟槽，其中，介电鳍暴露于栅极沟槽中；修整介电鳍以减小介电鳍的宽度；以及在修整之后，在栅极沟槽中形成高k金属栅极。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363208 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110557935.X H01L 27/088 (2006.01)
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