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本发明公开了一种生长铝镓氮的方法,包括:在衬底上生长成核层;在生长成核层后的衬底上生长铝镓氮;其中,衬底为图形化蓝宝石衬底,成核层在图形化蓝宝石衬底的窗口区域进行三维生长,成核层未覆盖衬底的非窗口区域,铝镓氮在图形化蓝宝石衬底的非窗口区域以及成核层区域进行生长;本申请通过在图形化的蓝宝石衬底上低温生长成核层,控制成核层的生长区域,再生长铝镓氮,可以一次性生长较厚的铝镓氮而不出现裂纹,相较于现有技术来说,工序简单,生产效率高,同时,成本较低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345797 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110601721.8
(22)申请日 2021.05.31
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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