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本发明公开了一种硅衬底化学机械抛光方法,其步骤为:使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行激活处理,激活处理包括预抛光处理,预抛光处理是指使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行抛光;将待加工工件置于激活处理后的抛光垫上方,使用不含磨料粒子的抛光液对待加工工件的表面进行抛光加工。本发明的硅衬底化学机械抛光方法,大大简化了硅衬底加工工艺步骤,减少了硅溶胶等磨料粒子的使用,降低了研发成本以及生产设备的投入;在保持了相对较高的切削率的情况下,节约了磨料,保护了人员和环境;其相比于现有成熟工艺改动幅度不大,可方便地
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113370001 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110571775.4
(22)申请日 2021.05.25
(71)申请人 上海工程技术大学
地址
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