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本发明公开了一种氮化镓功率器件结构及制备方法,解决了现有技术中器件温度易升温,且易存在电流崩塌现象的问题。本发明包括衬底、AlGaN势垒层、栅介质层,所述衬底上表面设有第一微阱结构,所述第一微阱结构平行设置多组;所述AlGaN势垒层上表面上设有第二微阱结构,所述第二微阱结构平行设置多组,所述栅介质层生长在所述AlGaN势垒层上,所述栅介质层的下表面平行设置多组凹槽且与所述AlGaN势垒层上表面的第二微阱结构相嵌合;所述衬底为Si衬底,所述Si衬底上表面被刻蚀形成所述第一微阱结构,所述第一微阱结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380876 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110650222.8 H01L 29/423 (2006.01)
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