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本发明提供一种阻变存储器及其形成方法，所述阻变存储器包括：半导体衬底，以及依次形成于所述半导体衬底上的阻挡层、第一电极、第一插层、阻变层、第二插层和第二电极，所述阻挡层中具有一开口，所述第一电极填充所述开口，所述第一插层覆盖所述第一电极并延伸覆盖部分所述阻挡层，所述阻变层覆盖所述第一插层，并且所述阻变层中具有氧原子，所述第二插层覆盖所述阻变层并与所述第一插层电连接，所述第二电极覆盖所述第二插层，其中，所述第二插层和所述第一插层的材质均为金属钛。所述第一电极和所述第二电极施加正向电压后，所述第二插
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363380 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110593160.1
(22)申请日 2021.05.28
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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