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本申请涉及集成电路、dram电路及用于形成其的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成具有导电通孔的导电线结构,导电通孔横向地处于紧邻的导电线结构之间且沿着导电线结构纵向间隔开。第一绝缘材料横向地形成于紧邻的导电通孔之间。第二绝缘材料直接形成于第一绝缘材料上方且直接形成于导电通孔上方。第二绝缘材料包括硅、碳、氮及氢。第三材料直接形成于第二绝缘材料上方。第三材料与第二绝缘材料包括相对彼此不同的组成。直接从第二绝缘材料上方去除第三材料且此后第二绝缘材料的厚度被减小。第四绝缘材料直接形成于厚度减小的第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380805 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110012540.1
(22)申请日 2021.01.06
(30)优先权数据
16/800,21
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