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一种存储器器件包括多层堆叠、多个沟道层和多个铁电层。所述多层堆叠设置在衬底上,并且包括交替堆叠的多个栅极层和多个介电层。所述多个沟道层贯穿所述多层堆叠并在侧向上彼此间隔开,其中所述多个沟道层包括第一沟道层和第二沟道层,并且所述第一沟道层的第一电子迁移率不同于所述第二沟道层的第二电子迁移率。所述多个沟道层中的每一者分别通过所述多个铁电层中的一者与所述多层堆叠间隔开。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113345488 A
(43)申请公布日 2021.09.03
(21)申请号 202110699218.0 G11C 7/12 (2006.01)
(22)申请日 20
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