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2023-06-21 发布于四川
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一种基于TSV的三维集成电路封装方法.pdf

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本发明公开了一种基于TSV的三维集成电路封装方法，方法包括：提供晶圆器件，在晶圆正面光刻出掩膜层，分别刻蚀出TSV通孔和沉头孔，然后进行TSV电镀和微凸块电镀；采用磨削设备和抛光液对晶圆进行磨削和抛光处理，在将晶圆磨削至预设厚度；在晶圆表面利用磁控溅射方法在淀积出扩散阻挡层及种子层，同时在晶圆背面制作反面铜锡微凸块；利用划片设备进行划片，将晶圆划分为普通芯片和带加强环及沉头孔结构的芯片，再利用堆叠设备将两种芯片分别独自进行逐层堆叠形成3D芯片，然后放入回流炉进行回流，最后获得3D堆叠芯片。本发明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113380649 A (43)申请公布日 2021.09.10 (21)申请号 202110592533.3 (22)申请日 2021.05.28 (71)申请人成都优拓优联万江科技有限公司

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