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公开了包括具有增大的背面部分的背面通孔的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一晶体管结构，在第一器件层中；正面互连结构，在第一器件层的正面上；第一介电层，在第一器件层的背面上；第一接触件，穿过第一介电层延伸到第一晶体管结构的源极/漏极区；以及背面互连结构，在第一介电层和第一接触件的背面上，第一接触件包括具有第一锥形侧壁的第一部分和具有第二锥形侧壁的第二部分，第一锥形侧壁的宽度在朝着第二锥形侧壁的方向上变窄，并且第二锥形侧壁的宽度在朝向背面互连结构的方向上变宽。本申请的实施例提供了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363205 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110221056.X
(22)申请日 2021.02.26
(30)优先权数据
63/030,56
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