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本发明公开了一种具有n‑AlGaN层纳米多孔结构深紫外LED器件及其制作方法,包括蓝宝石衬底、AlN层、n‑AlGaN层、多量子阱层、p‑AlGaN层、p‑GaN层、p电极及n电极;n‑AlGaN层及AlN层自上到下依次设置于蓝宝石衬底上,n电极及多量子阱层设置于n‑AlGaN层上,p电极10、p‑GaN层、p‑AlGaN层及多量子阱层自上到下依次设置于n‑AlGaN层上;n‑AlGaN层内设置有纳米多孔结构,其中,所述纳米多孔结构位于n电极及多量子阱层的正下方,该LED器件及其制作方法能够有效
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380933 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110593673.2
(22)申请日 2021.05.28
(71)申请人 西安交通大学
地址
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