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本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种静电保护器件,其中,包括:第一导电类型衬底和第二导电类型外延层,第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区,第二导电类型阱区内设置有第一N+区和第一P+区,第一导电类型阱区内设置有第二N+区和第二P+区,第二导电类型阱区与第一导电类型阱区的相切位置处设置第三N+区,在第三N+区与第二N+区之间设置齐纳注入ZP区,第三N+区与齐纳注入ZP区接触,齐纳注入ZP区与第二N+区之间设置肖特基注入P型区,肖特基注入P型区分别与齐纳注入ZP区以及第二N
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113345887 B
(45)授权公告日 2021.11.30
(21)申请号 202110892121.1 (56)对比文件
(22)申请日 2021.08.04
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