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2023-06-21 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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本申请的各种实施例针对包括粗糙缓冲层的III‑V族器件。粗糙缓冲层位于硅衬底上面，缓冲结构位于粗糙缓冲层上面，异质结结构位于缓冲结构上面。缓冲结构导致能带弯曲，并且在粗糙缓冲层中形成二维空穴气体(2DHG)。粗糙缓冲层包括硅或者一些其他合适的半导体材料，并且在一些实施例中，是掺杂的。粗糙缓冲层的顶面和/或粗糙缓冲层的底面是粗糙的，以促进载流子沿着顶面和底面的散射。载流子散射会降低载流子迁移率，并且增加2DHG处的电阻。增大的电阻增加了硅衬底的整体电阻，这减小了衬底损耗，并且增加了功率附加效率(P

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345960 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110185348.2 (22)申请日 2021.02.10 (30)优先权数据 16/806,10

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