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包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdfVIP

包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf

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    本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述存储器阵列包括导体层，其包括导体材料。所述存储器阵列包括各自在所述导体层正上方包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。所述导电层的最低者的传导材料直接抵靠所述导体层的所述导体材料。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块之间且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块。所述最低导电层中的所述传导材料直接抵靠所述沟道材料串中的个别者的所述

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113345906 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110220190.8 (22)申请日 2021.02.26 (30)优先权数据 16/807,52

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