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具有双纳米带沟道结构的全环绕栅极集成电路结构.pdfVIP

具有双纳米带沟道结构的全环绕栅极集成电路结构.pdf

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    描述了具有双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅极集成电路结构及制造具有双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅极集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构包括在衬底上方的纳米线的第一垂直布置。电介质帽盖在纳米线的第一垂直布置之上。纳米线的第二垂直布置在衬底上方。纳米线的第二垂直布置中的各个纳米线与纳米线的第一垂直布置中的各个纳米线和电介质帽盖横向交错。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363325 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202011552566.7 H01L 29/423 (2006.01)

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