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本发明专利公开了一种基于溴插层多层石墨烯或石墨薄膜的碳基器件和电路结构的制备方法，在低功耗器件、超密集和超薄集成电路等领域具有应用前景。本发明通过对多层石墨烯或者石墨薄膜进行溴插层处理，提高了材料的电导性能。其中，导电通道为溴插层处理后再经过减薄的单层或双层石墨烯，溴被封装在单层或双层石墨烯与衬底之间或是双层石墨烯片层间，提高了沟道的导电性能。本发明通过图形化单片石墨烯或者石墨薄膜的方式，同时制备器件和电极以及局部互联线，极大地降低了器件和电路中的接触电阻，并且这种电路结构中的局部互联线不需要其
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380697 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202110493173.1 C23C 16/26 (2006.01)
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