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本发明提供一种应用于强微腔器件技术领域的强微腔器件叠层阳极的制备方法，所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法的步骤为:S1.金属反射层及B阳极成膜；S2.B‑HM制备；B‑HM制备时，对完成B阳极工艺的wafer进行PECVD成膜工艺，选择SiO或SiN膜层，膜层厚度选择3000A～4000A；S3.G‑阳极制备；S4.G‑HM制备；S5.R‑阳极制备；S6.HM去除,完成叠层阳极制备。本发明所述的强微腔器件叠层阳极的制备方法，通过改变制备工艺，通过错位光刻，减少光刻次数，在确保较少的光刻次数条件下
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113380967 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202110636299.X (51)Int.Cl .
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