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本发明公开了一种制造半导体结构的方法及半导体结构,制造半导体结构的方法包括:接收基板,其具有主动区及邻近主动区的非主动区;在基板的非主动区上形成蚀刻停止层,其中蚀刻停止层是无氧化物的;在蚀刻停止层上形成隔离物;去除主动区的一部分及隔离物的一部分,以分别在主动区内形成第一沟渠及在蚀刻停止层上方形成第二沟渠,其中第二沟渠下方的蚀刻停止层的厚度大于第一沟渠与第二沟渠之间的深度差;在第一沟渠内形成介电层;及在第一沟渠内的介电层上方及第二沟渠内填充导电材料,以分别形成埋入式栅极及字线。本发明的制造半导体结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113380714 A
(43)申请公布日 2021.09.10
(21)申请号 202010465138.4
(22)申请日 2020.05.28
(30)优先权数据
16/799,85
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