一种检测半导体材料中缺陷的方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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一种检测半导体材料中缺陷的方法.pdf

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本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法，所述方法包括：通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗，以去除所述半导体材料表面的氧化层；对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻，以显现所述半导体材料中的缺陷；对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描，以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层，然后再对所述半导体材料进行蚀刻，以显现半导体材料中的原生缺陷，通过所述方法可以探测到目前H2高温烘焙中未被显现的缺陷，半导体材料的区域缺陷密度大幅提高，可以提

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394126 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110407842.9 H01L 21/311 (2006.01) (22)申请日

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