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本申请公开了一种检测半导体材料中缺陷的方法,所述方法包括:通过HF蚀刻液对半导体材料的表面进行清洗,以去除所述半导体材料表面的氧化层;对去除所述氧化层的所述半导体材料进行蚀刻,以显现所述半导体材料中的缺陷;对蚀刻后的所述半导体材料的水平表面进行光散射扫描,以确定所述半导体材料中存在的缺陷。在所述方法中先通过HF清洗去除半导体材料表面氧化层,然后再对所述半导体材料进行蚀刻,以显现半导体材料中的原生缺陷,通过所述方法可以探测到目前H2高温烘焙中未被显现的缺陷,半导体材料的区域缺陷密度大幅提高,可以提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394126 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110407842.9 H01L 21/311 (2006.01)
(22)申请日
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