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本发明提供一种横向功率半导体器件，包括：位于器件底部的第一类型掺杂衬底、第二类型掺杂漂移区、第二类型重掺杂漏区，第一类型掺杂体区；第一类型重掺杂体接触区和第二类型重掺杂源区，第二类型重掺杂源区的右侧为介质层；介质层在第一类型掺杂体区中沿纵向间隔排布，纵向上相邻介质层之间为第一类型掺杂体区；多晶硅至少右侧被介质层包围。本发明相较于传统槽栅器件，引入了横向沟道，增大了电流密度，实现较小的沟道导通电阻。本发明的一些实施例在此基础上，进一步减小栅漏电容，实现较好的频率特性，以及用RESURF技术进一步降
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394291 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110476270.X
(22)申请日 2021.04.29
(71)申请人 电子科技大学
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