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本发明提供一种碳化硅MOSEFT栅氧结构及其制备方法，将碳化硅外延片置于氧化炉，设置氧化炉的氧化温度在阈值范围内对碳化硅外延片进行一定时间的氧化；将含有氧化层的碳化硅外延片在退火气氛中进行退火，避免引入固定电荷，提高了碳化硅外延片与氧化层之间界面的质量，MOSFET阈值电压不会发生漂移，减小对沟道载流子的散射，提高了MOSFET导通能力；本发明中通过惰性气体对含有氧化层的碳化硅外延片进行退火，保证MOSFET阈值电压不受影响；碳化硅外延片在高温下进行氧化和退火，退火过程中的氧化层处于熔融状态或半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410132 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202010179774.0 H01L 29/423 (2006.01)
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