GB/T 42706.2-2023电子元器件　半导体器件长期贮存　第2部分:退化机理.pdf

ICS31.020 CCSL40 中华人 民共和 国国家标准 / — / : GBT42706.2 2023IEC62435-22017 电子元器件 半导体器件长期贮存 : 第 部分 退化机理 2 — — Electroniccom onents Lon-termstoraeofelectronicsemiconductordevices p g g : Part2 Deteriorationmechanisms ( : , ) IEC62435-22017IDT 2023-05-23发布 2023-09-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 国家标准化管理委员会 / — / : GBT42706.2 2023IEC62435-22017 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 引言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅳ 1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 、 ……………………………………………………………………………………… 3 术语 定义和缩略语 1 3.1 术语和定义 ………………………………………………………………………………………… 1 3.2 缩略语 ……………………………………………………………………………………………… 1 4 退化类型 ………………………………………………………………………………………………… 2 4.1 概述 ………………………………………………………………………………………………… 2 4.2 引线镀层的可焊性和氧化 ………………………………………………………………………… 2 “ ” ……………………………………………………………………………………… 4.3 爆米花 效应 2 4.4 分层 ………………………………………………………………………………………………… 2 4.5 腐蚀和变色 ………………………………………………………………………………………… 2 4.6 静电影响 …………………………………………………………………………………………… 2 4.7 高能电离辐射损伤 ………