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本发明提供一种多栅极的半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括一衬底,包含一主动区以及一隔离结构位于主动区的一侧。一些实施例的半导体结构亦包括一栅极结构位于衬底的上方,此栅极结构包含位于衬底的顶面上方的第一部份,以及连接第一部份的第二部份。其中第二部份延伸至隔离结构中,且隔离结构直接接触第二部份的侧壁与底面。一些实施例的半导体结构还包括一栅极介电层,位于栅极结构和衬底之间。根据一些实施例的半导体结构的制造方法,是对隔离结构进行部份刻蚀以形成沟槽,此沟槽暴露出衬底的侧壁的顶部,而后续形成的栅极介电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410228 A
(43)申请公布日
2021.09.17
(21)申请号 20201
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