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本发明提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成叠层结构于一衬底表面，所述叠层结构包括交替叠置的支撑层和牺牲层；形成缓冲层于所述叠层结构背离所述衬底的表面；形成贯穿所述叠层结构和所述缓冲层并暴露所述电容触点的电容孔；形成覆盖所述电容孔内壁的第一电极层；形成贯穿所述缓冲层的刻蚀窗口；沿所述刻蚀窗口除去所述叠层结构中部分的所述支撑层和全部的所述牺牲层；去除所述缓冲层，所述第一电极层凸出于残留的所述叠层结构之上；形成电介质层、以及第二电极层，形成电容器。本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410179 A
(43)申请公布日
2021.09.17
(21)申请号 20201
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