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本发明公开了一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法，属于半导体微纳米制造技术领域。本发明包括：采用溅射方法在硅片表面相继沉积Cr掩膜和Cu掩膜；通过光刻法在Cu掩膜上形成图案化的光刻胶；用第一刻蚀液体刻蚀Cu掩膜得到图案化的Cu掩膜；去除图案化的光刻胶；以图案化的Cu掩膜为掩膜，用第二刻蚀液体刻蚀Cr掩膜，得到图案化的Cr/Cu双层金属掩膜；用第三刻蚀液体刻蚀硅片；分别用第一刻蚀液体和第二刻蚀液体去除图案化的Cu掩膜和Cr掩膜。本发明的方法可以轻易实现百微米以上深度的高质量深硅刻蚀；工艺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421825 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110670761.8 C23F 1/02 (2006.01)
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