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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种半导体器件，包括：具有鳍的半导体衬底；与鳍相交的栅极以及位于栅极两侧的鳍内的源区和漏区；分别在源区和漏区处形成且与源区和漏区相接触的金属硅化物；其中在所述金属硅化物与源区、漏区接触的界面处存在能够降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度的杂质掺杂物。所提供的半导体器件能够降低金属硅化物与源区、漏区之间的肖特基势垒高度，进而减小接触的比电阻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410293 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110639755.6 H01L 21/285 (2006.01)

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