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具有非对称沟槽氧化物的碳化硅MOSFET结构.pdfVIP

具有非对称沟槽氧化物的碳化硅MOSFET结构.pdf

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    在此描述了一种基于碳化硅(SiC)的功率半导体器件，包括：第一导电类型的漏极区域；设置在漏极区域上方的第一导电类型的漂移区域，其具有比所述漏极区域的掺杂浓度更低的掺杂浓度；设置在漂移区域上的第二导电类型的本体区域，第二导电类型与第一导电类型相反；第一导电类型的接触区域，设其置在所述本体区域内；源极欧姆接触，其设置在源极区域上方；和与源极区域、本体区域和漂移区域接触的一个或多个沟槽栅极区域。一个或多个沟槽栅极区域中的每个均被构造成在源极区域和漂移区域之间的本体区域中形成沟道区域。至少一个沟槽栅极区

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113424328 A (43)申请公布日 2021.09.21 (21)申请号 202080007778.9 (51)Int.Cl.

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