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改善膜层沉积工艺中首片效应的方法.pdfVIP

改善膜层沉积工艺中首片效应的方法.pdf

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    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善膜层沉积工艺中首片效应的方法。所述改善膜层沉积工艺中首片效应的方法包括如下步骤：提供反应腔室；形成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层，所述第一膜层储存有热量以维持所述反应腔室内稳定的热环境；放置晶圆至所述反应腔室；于所述晶圆表面形成第二膜层。可选的，形成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层的具体步骤包括：传输第一反应气体和第二反应气体至所述反应腔室，所述第一反应气体与所述第二反应气体反应生成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层。本发明减小或者是最大程度的改善了

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113403606 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110532791.2 (22)申请日 2021.05.17 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司

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