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本发明公开了一种二维层状异质结Ge‑GeH、光电阳极材料及其制备方法,Ge‑GeH异质结的制备方法包括如下步骤:S1.将锗单质和钙单质按比例混合均匀后煅烧,冷却后得到混合物;锗单质与钙单质的质量比为1:(0.4~0.8);S2.将S1得到的混合物与浓盐酸混合,在真空条件下搅拌反应40~55h,洗涤,超声处理,所得即为二维层状异质结Ge‑GeH。本发明制备得到的二维层状异质结Ge‑GeH具有优异的光电响应性能,可与商业导电碳粉混合用于制备PEC型光电探测系统中的光电阳极材料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113394023 B
(45)授权公告日 2022.04.22
(21)申请号 202110625764.X (51)Int.Cl.
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