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本披露内容的各方面提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：通过从与衬底的第二侧相反的该衬底的第一侧进入，在该衬底上形成虚拟电力轨。进一步地，该方法包括：通过进入该衬底的第一侧，在该衬底上形成晶体管器件和第一布线层。这些虚拟电力轨被定位于该衬底的第一侧的这些晶体管器件的水平下方。然后，该方法包括：通过从与该衬底的第一侧相反的该衬底的第二侧进入，用导电电力轨来替换这些虚拟电力轨。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113424307 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202080013797.2 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限
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