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提供一种能够使栅极控制电路的结构简略化的半导体装置。半导体装置具备:半导体部;半导体部的背面侧的第1电极;表面侧的第2电极;以及第1、第2控制电极,在半导体部与第2电极之间,配置在半导体部的沟槽的内部。第1、第2控制电极从半导体部及第2电极绝缘,第2控制电极从第1控制电极电分离。半导体部包括:第1导电型的第1层;第2导电型的第2层;第1导电型的第3层;第2导电型的第4层;第2导电型的第5层;以及第2导电型的第6层。第2层设置于第1层与第2电极之间,第3及第4层有选择地设置于第2半导体层与第2电极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394265 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202010606415.9
(22)申请日 2020.06.29
(30)优先权数据
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