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本发明的目的在于提高半导体激光元件中的电光转换效率。一种在p型半导体层的表面依次层叠有Ti层以及Pt层的电极,使与p型半导体层的表面的接触部分的每单位面积的热阻为1.2×104(K/W·m2)以下。使Ti层的膜厚为5nm以上且35nm以下。使Ti层的膜厚与Pt层的膜厚的合计为70nm以下。使Pt层的膜厚相对于Ti层的膜厚为0.7倍以上且1倍以下。使Au层进一步层叠于Pt层的上层。使在p型半导体层上设置有电极的半导体激光元件在结向下的状态下固定于固定件,制造带有芯片的辅助固定件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113424380 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202080013968.1 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任
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