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垂直型晶体管、包括其的反相器及垂直型半导体器件.pdfVIP

垂直型晶体管、包括其的反相器及垂直型半导体器件.pdf

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    示例实施方式提供了垂直型晶体管、包括其的反相器和包括其的垂直型半导体器件。垂直型晶体管包括：基板；提供在基板上的第一源/漏电极层；第二源/漏电极层，提供在第一源/漏电极层之上；第一栅电极层，提供在第一源/漏电极层和第二源/漏电极层之间；穿过第一栅电极层的第一栅绝缘膜；孔，穿过第二源/漏电极层、第一栅绝缘膜和第一源/漏电极层；以及提供在该孔的侧面上的第一沟道层，其中第一沟道层可以包括2D半导体。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410304 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110280227.6 (22)申请日 2021.03.16 (30)优先权数据

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