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2023-06-22 发布于四川
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半导体装置及单片化方法.pdf

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一种能够进行面朝下安装的芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备：半导体层(40)，具有半导体基板(32)、以及与半导体基板(32)的上表面接触而形成的低浓度杂质层(33)；金属层(30)，与半导体层(40)的下表面整面接触而形成，厚度为10μm以上；第1纵型MOS晶体管(10)，形成于半导体层(40)；以及第2纵型MOS晶体管(20)，形成于半导体层(40)；金属层(30)的侧面具有形成以与金属层(30)垂直的方向为纵向的纵条纹的、最大高度粗糙度比1.0μm大的凹凸；在半导体装置(1)的平面视图

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113396475 B (45)授权公告日 2022.04.15 (21)申请号 202080012688.9 (73)专利权人新唐科技日本株式会社

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