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本发明公开了一种MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管,包括从下而上依次层叠的硅衬底、AIN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层,AlGaN势垒层中设有凹槽,凹槽的槽底和槽壁上设有栅介质层,栅介质层底部对称设有两个栅极,靠近漏极的栅设有栅场板,两个栅极之间设有阻挡层,AlGaN势垒层上表面两侧分别设有源极和漏极,源极上设有源场板,源极和漏极之间设有钝化层。本发明的第二AlGaN势垒层和AlGaN缓冲层具有相同的铝组分,完全耗尽第一AlGaN势垒层与第二AlGaN势垒层之间的极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113410297 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202110695398.5 H01L 29/423 (2006.01)
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