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本发明公开一种多次编程非挥发性存储器的存储单元阵列。存储单元阵列中的存储单元可为单一晶体管与单一电容器的存储单元(1T1Ccell)、二晶体管与单一电容器的存储单元(2T1Ccell)或者三晶体管与单一电容器的存储单元(3T1Ccell)。另外，在存储单元阵列的设计中，将不同列存储单元的浮动栅晶体管设计在相同的阱区中，用以降低芯片尺寸。再者，设计存储单元阵列的偏压，使得存储单元阵列能够正常地进行编程动作、抹除动作或读取动作。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113393885 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110207886.7 H01L 27/11519 (2017.01)
(22)申请日
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