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本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,包括:在P型分布式布拉格反射镜远离量子阱的一侧设置有环形凹槽,在N型分布式布拉格反射镜靠近量子阱的一侧设置有氧化图案层,氧化图案层定义出射光束的窗口区域,通过环形凹槽限制P型分布式布拉格反射镜的反射光范围,结合环形凹槽在衬底上的正投影区域至少部分位于窗口区域在衬底上的正投影区域,达到缩小窗口区域出射光束的范围,改善出射光束在目标区域的光斑模态,使其更接近理想的高斯模态。在改善光斑模态的同时,还可以利用在环形凹槽内填充的导电层的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410756 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110668842.4
(22)申请日 2021.06.16
(71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司
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