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2023-06-22 发布于四川
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深紫外发光元件及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种深紫外发光元件及其制备方法，其中，所述深紫外发光元件从下至上依次包括：衬底、多重缓冲层、合并层、n型半导体层、量子阱层以及p型半导体层，其中所述多重缓冲层包括第一缓冲层以及位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层，且所述第二缓冲层包括生长温度呈梯度变化的至少两层结构，且所述第二缓冲层的生长温度为900℃～1200℃。本发明通过形成多重缓冲层结构，可有效释放合并层与衬底间的晶格失配应力和热应力，以减少深紫外发光元件的缺陷和位错密度，进而提升深紫外发光元件的发光效率至5％～10％。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394316 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110661376.7 H01L 33/00 (2010.01) (22)申请日 2

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