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本发明公开了一种低功耗三维阻变存储器,在阻变存储器的电极与阻变薄膜之间插入了一层石墨烯阻挡层,所述石墨烯阻挡层为化学气相淀积法制备的石墨烯薄膜,其中存在少量纳米缺陷孔。该石墨烯阻挡层可以限制电极金属往阻变层的移动,使金属只能从少量的缺陷孔中通过,限制金属导电细丝的生长。因此,器件在数据写入过程中只能形成较细、较少的金属导电细丝,从而在数据擦除过程中大幅降低数据擦除电流,显著降低阻变存储器的功耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421963 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110647502.3
(22)申请日 2021.06.10
(71)申请人 北京大学
地址 10
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