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一种改善Cu基体与碳基薄膜结合力的方法.pdfVIP

一种改善Cu基体与碳基薄膜结合力的方法.pdf

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    本发明公开一种提高Cu基体与碳基薄膜结合力的方法。该方法是通过以下步骤实现的：采用双辉渗金属技术在覆有模板的Cu基体表面制备亲碳金属过渡层骨架，去除模板后采用该技术对基体及骨架表面进行高密度Ar+轰击刻蚀处理，提高碳原子的成核密度，最后通过溅射镀膜或等离子化学气相沉积法在图形化的基体上沉积碳基薄膜，提高碳基薄膜与Cu基体的结合力。该方法具有过程简单、可控性好、绿色环保等优点。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113403577 B (45)授权公告日 2022.06.03 (21)申请号 202110700140.X C23C 14/02 (2006.01)

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