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本发明公开了一种二极管触发的双向SCR器件，P型衬底上设有深N阱，在深N阱上依次设有第一P阱、N阱、第二P阱，第一P阱上表面开有沟槽一，第一P阱、N阱交界处开有沟槽二，N阱、第二P阱交界处开有沟槽三，第二P阱上表面开有沟槽四；沟槽一两边是第一P+注入区和第一N+注入区，沟槽二两边是第一N+注入区和第二N+注入区，沟槽三两边是第二N+注入区和第三N+注入区，沟槽四两边是第三N+注入区和第二P+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区与阳极相连，第三N+注入区、第二P+注入区与阴极相连；第二N+注入区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421924 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110559912.2
(22)申请日 2021.05.21
(71)申请人 西安理工大学
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