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状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置.pdfVIP

状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置.pdf

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    本发明提供了一种状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置，把各存储单元的栅极连接在不同的字线上，把各存储单元的漏极连接在不同的位线上，当只需要对部分存储单元进行编程或擦除时，只向需要操作的存储单元的字线施加相应的电压，不向其它存储单元的字线施加该电压，从而无需操作的存储单元不会受到额外的压力，避免由于这些额外的压力影响存储单元的电学特性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113409840 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110736913.X G11C 16/14 (2006.01)

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