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3D NAND存储器及其形成方法.pdf

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    一种3DNAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使所述沟道通孔调节区中形成的沟道通孔的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中形成的沟道通孔密度，从而使得所述伪沟道通孔调节区中形成伪沟道通孔的密度与所述沟道通孔调节区中形成沟道通孔的密度之间的差异减小，相应所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中的沟道通孔中存储结构的密度，从而使得台阶区和核心区的交界处两侧或附近的堆叠结构中薄膜的应力的差异会减小，因而在刻蚀台阶区和核心区的交界处的堆叠结构形成栅极隔槽时，使得刻蚀

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113394229 B (45)授权公告日 2022.08.09 (21)申请号 202110538662.4 (51)Int.Cl.

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